產(chǎn)品時(shí)間：2025-09-17
奧林巴斯OmniScan SX相控陣探傷儀/超聲波相控陣探傷儀TOFD焊縫探傷儀/金屬材料探傷儀/復(fù)合材料探傷儀，主要用于檢測金屬及非金屬材料內(nèi)部及焊縫內(nèi)部的各種不連續(xù)性缺陷，包括復(fù)合材料的脫粘、分層、粘接不良和金屬材料及焊縫的氣孔、裂紋、沙眼等缺陷的檢出和定位定量。支持的檢測技術(shù)包超聲波脈沖回波模式、一收一發(fā)模式、相控陣串列掃查模式及衍射時(shí)差（TOFD）模式，能夠形成對(duì)待檢工件區(qū)域的彩色B掃描及
| 品牌 | OLYMPUS/奧林巴斯 | 價(jià)格區(qū)間 | 10萬-20萬 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 模擬式 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油,電子/電池,航空航天,電氣 |
奧林巴斯OmniScan SX相控陣探傷儀/超聲波相控陣探傷儀
OmniScan PA是Olympus公司為石油和天然氣工業(yè)開發(fā)的手動(dòng)和半自動(dòng)相控陣焊縫檢測解決方案的核心。這些系統(tǒng)不僅可用于符合ASME、API及其它規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)的檢測，而且還具有高速探測、便于缺陷指示判讀的特性。
在主要探測焊縫缺陷的應(yīng)用中，TOFD是一種簡便易行、效率*的檢測方法。這種方法不僅可以快速定量在焊縫體積中發(fā)現(xiàn)的缺陷（焊縫通常是制造缺陷高發(fā)的地帶），且其性價(jià)比*。
奧林巴斯OmniScan SX相控陣探傷儀技術(shù)參數(shù)：
| 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | |
| 存儲(chǔ)裝置 | SDHC卡，或大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)USB存儲(chǔ)設(shè)備 |
| 數(shù)據(jù)文件容量 | 300 MB |
| I/O端口 | |
| USB端口 | 2個(gè)符合USB 2.0技術(shù)規(guī)格的USB端口 |
| 音頻報(bào)警 | 有 |
| 視頻輸出 | 視頻輸出（SVGA） |
| I/O線 | |
| 編碼器 | 雙軸編碼器線（正交、向上、向下或時(shí)鐘/方向） |
| 數(shù)字輸入 | 4個(gè)數(shù)字TTL輸入，5 V |
| 數(shù)字輸出 | 3個(gè)數(shù)字TTL輸出，5 V；每個(gè)輸出最大電流為15 mA。 |
| 采集開關(guān) | 有，通過對(duì)一個(gè)數(shù)字輸入進(jìn)行配置的方式實(shí)現(xiàn) |
| 電源輸出線 | 5 V，500 mA電源輸出線（帶短路保護(hù)） |
| 步速輸入 | 5 V TTL步速輸入 |
| 顯示 | |
| 顯示屏尺寸 | 21.3 cm（8.4 in.） （對(duì)角線） |
| 分辨率 | 800像素?x ?600像素 |
| 亮度 | 600 cd/m2 |
| 觀察角度 | 水平： –80° ～ 80° 垂直： –60° ～ 80° |
| 顏色數(shù)量 | 1千6百萬 |
| 類型 | 薄膜晶體管液晶顯示屏（TFT LCD） |
| 電源 | |
| 電池類型 | 智能鋰離子電池 |
| 電池?cái)?shù)量 | 1節(jié) |
| 電池供電時(shí)間 | 正常操作條件下，至少6小時(shí) |
| 環(huán)境技術(shù)規(guī)格 | |
| 工作溫度范圍 | -10 °c ～ 45 °C （14 ºF ～ 113 ºF） |
| 存放溫度范圍 | –20 °C ～ 60 °C（–4 ºF ～ 140 ºF），含電池 –20 °C ～ 70 °C（–4 ºF ～ 158 ºF），不含電池 |
| 相對(duì)濕度 | 45 °C無冷凝的條件下，最大相對(duì)濕度為70 %。 |
| 侵入保護(hù)評(píng)級(jí) | 設(shè)計(jì)符合IP66評(píng)級(jí) |
| 防撞擊評(píng)級(jí) | 通過MIL-STD-810G 516.6的墜落測試 |
| 超聲技術(shù)規(guī)格（適用于OMNISX-1664PR） | |||
| 接口 | 1個(gè)相控陣接口： Olympus PA接口 2個(gè)UT接口： LEMO 00 | ||
| 聚焦法則數(shù)量 | 256個(gè) | ||
| 探頭識(shí)別 | 自動(dòng)探頭識(shí)別 | ||
| 脈沖發(fā)生器/接收器 | |||
| 孔徑 | 16個(gè)晶片 | ||
| 晶片數(shù)量 | 64個(gè)晶片 | ||
| 脈沖發(fā)生器 | PA通道 | UT通道 | |
| 電壓 | 40 V、80 V、115 V | 95 V、175 V、340 V | |
| 脈沖寬度 | 30 ns ～ 500 ns范圍內(nèi)可調(diào)， 分辨率為2.5 ns。 | 30 ns ～ 1000 ns范圍內(nèi)可調(diào)， 分辨率為2.5 ns。 | |
| 脈沖形狀 | 負(fù)方波 | 負(fù)方波 | |
| 輸出阻抗 | 35 Ω（脈沖回波模式） 30 Ω（一發(fā)一收模式） | < 30 Ω | |
| 接收器 | PA通道 | UT通道 | |
| 增益 | 0 dB～80 dB，最大輸入信號(hào)為550 mVp-p（滿屏高） | 0 dB～120 dB，最大輸入信號(hào)為34.5 Vp-p（滿屏高） | |
| 輸入阻抗 | 60 Ω（脈沖回波模式） 150 Ω（一發(fā)一收模式） | 60 Ω（脈沖回波模式） 50 Ω（脈沖發(fā)送接收模式） | |
| 系統(tǒng)帶寬 | 0.6 MHz～18 MHz（–3 dB） | 0.25 MHz～28 MHz（–3 dB） | |
| 聲束形成 | |||
| 掃查類型 | 扇形或線性 | ||
| 組數(shù)量 | 1個(gè) | ||
| 數(shù)據(jù)采集 | PA通道 | UT通道 | |
| 數(shù)字化頻率 | 每5/4個(gè)通道使用了一個(gè)插值后，為400 MHz（12比特） | 每4個(gè)通道使用了一個(gè)插值后，為400 MHz（12比特） | |
| 最大脈沖速率 | 高達(dá)6 kHz（C掃描） | ||
| 數(shù)據(jù)處理 | PA通道 | UT通道 | |
| 數(shù)據(jù)點(diǎn)數(shù) | 最多8192個(gè) | ||
| 實(shí)時(shí)平均 | PA： 2、4、8、16 | UT： 2、4、8、16、32、64 | |
| 檢波 | 射頻、全波、正半波和負(fù)半波 | ||
| 濾波 | 3個(gè)低通、3個(gè)帶通、5個(gè)高通濾波器 | 3個(gè)低通、6個(gè)帶通、3個(gè)高通濾波器（TOFD配置下為8個(gè)低通濾波器） | |
| 視頻濾波 | 平滑（根據(jù)探頭頻率范圍調(diào)節(jié)） | ||
| 數(shù)據(jù)顯示 | |||
| A掃描刷新率 | A掃描： 60 Hz； S掃描： 60 Hz | ||
| 數(shù)據(jù)同步 | |||
| 根據(jù)內(nèi)部時(shí)鐘 | 1 Hz～6 kHz | ||
| 根據(jù)編碼器 | 雙軸： 1步～65536步 | ||
| 可編程的時(shí)間校正增益（TCG） | |||
| 點(diǎn)數(shù) | 16個(gè)： 每個(gè)聚焦法則有一條TCG （時(shí)間校正增益）曲線 | ||
| 最大斜率 | 40 dB/10 ns | ||
閘門的任意邏輯組合
| 報(bào)警 | |||
| 報(bào)警數(shù)量 | 3個(gè) | ||
| 條件 | |||
| 外殼 | |
| 外型尺寸 （W x H x D） | 267 mm × 208 mm × 94 mm (10.5 in. × 8.2 in. × 3.7 in.) |
| 重量 | 3.4 kg（7.5 lb），含電池 |
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